傳統上，每個儲存單元內儲存1個信息位，稱為單階儲存單元(single-level cell, SLC)，使用這種儲存單元的閃存也稱為單階儲存單元閃存(SLC flash memory)，或簡稱SLC閃存。SLC閃存的優點是傳輸速度更快

閃存的一種限制在于即使它可以單一字節的方式讀或寫入，但是抹除一定是一整個區塊。一般來說都是設定某一區中的所有位為“1”，剛開始區塊內的所有部份都可以寫入，然而當有任何一個位被設為“0”時

 平均抹寫(Wear Leveling)即平均抹寫儲存區塊技術，其用途在于平均使用NAND Flash中的每個儲存區塊，避免特定儲存區塊因存取過度而故障，以延長產品使用壽命。Wear Leveling機制是將數據依序從第1個儲存區

隨著NAND Flash開始扮演儲存程序代碼和數據的雙重角色，錯誤校正的重要性大為提高。一般來說，MP3音訊文件中丟失位數據通常無關緊要，但是，在系統中丟失位數據可能就會造成系統

故障區塊管理(Bad Block Management；BBM)即主控芯片的故障區塊管理機制，是用來偵測并標示NAND Flash中的故障區塊，避免日后數據存入故障區塊中，以提升數據存取可靠度。

上圖為iSMART監控的項目，其中：1. Initial Free Block Count 此為產品一開始所擁有替換Bad Block的數量。2. Current Free Block Count 此為產品目前剩余可替換Bad Block的數量，當數值為