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技術與研發
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  天津羅升作為InnoDisk全國總代理,致力于成為客戶及InnoDisk的橋梁,為工業存儲器領域的技術與研發貢獻綿薄之力。
  InnoDisk作為一家專注工業級NAND Flash儲存媒體的公司,擁有強大的研發團隊。InnoDisk能提供高可靠性,高性能及長耐久性的儲存媒體解決方案的產品,可以廣泛運用在工業自動化,醫療,商業,軍事工業等領域,研發團隊積聚了多年開發經驗與多項技術革新。

     

存儲介質

 

傳統上,每個儲存單元內儲存1個信息位,稱為單階儲存單元(single-level cell, SLC),使用這種儲存單元的閃存也稱為單階儲存單元閃存(SLC flash memory),或簡稱SLC閃存。SLC閃存的優點是傳輸速度更快

 
 

擦除區塊

 

閃存的一種限制在于即使它可以單一字節的方式讀或寫入,但是抹除一定是一整個區塊。一般來說都是設定某一區中的所有位為“1”,剛開始區塊內的所有部份都可以寫入,然而當有任何一個位被設為“0”時

 

 

 

平均寫入算法

 

 平均抹寫(Wear Leveling)即平均抹寫儲存區塊技術,其用途在于平均使用NAND Flash中的每個儲存區塊,避免特定儲存區塊因存取過度而故障,以延長產品使用壽命。Wear Leveling機制是將數據依序從第1個儲存區

 
     

錯誤更正碼

 

隨著NAND Flash開始扮演儲存程序代碼和數據的雙重角色,錯誤校正的重要性大為提高。一般來說,MP3音訊文件中丟失位數據通常無關緊要,但是,在系統中丟失位數據可能就會造成系統

 
 

 故障區塊管理

 

故障區塊管理(Bad Block Management;BBM)即主控芯片的故障區塊管理機制,是用來偵測并標示NAND Flash中的故障區塊,避免日后數據存入故障區塊中,以提升數據存取可靠度。

 

 

 

 

 iSMART介紹

 

上圖為iSMART監控的項目,其中:1. Initial Free Block Count 此為產品一開始所擁有替換Bad Block的數量。2. Current Free Block Count 此為產品目前剩余可替換Bad Block的數量,當數值為

 

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